原子层沉积系统是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法，是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。
好的附着力：前驱体与基底材料的化学吸附保证了好的附着力。
饱和吸附特性：表面反应的自限制性使工艺的自动化成为可能，同时不需要精确的剂量控制和操作人员的持续介入。
有序反应：薄膜的数字化的有序生长过程提供了在没有原位反馈或是操作人员的干预的条件下高薄膜精度。
表面控制反应：表面反应确保了在任何条件下薄膜的高保型，不管基底材料是致密的、多孔的、管状的、粉末状的或是其它具有复杂形状的物体。
精确性和可重复性：一个循环的薄膜生长厚度是由工艺决定的，但通常是1Å(0.1nm)。
超薄，密实和平整：ALD可以沉积厚度小于1纳米的薄膜。在某些工业应用中薄膜厚度仅为0.8纳米。
高产能：表面控制生长特性使得通过提高批量及增加基底面积，从而扩大产能成为可能。
等离子体增强型ALD:在原子层沉积过程中加入等离子体可以实现某些金属，低温氧化物和氮化物的薄膜制备。
卷对卷式和连续性的ALD:卷对卷式薄膜沉积为许多全新的应用打开了大门，如柔性电子工业。
针对颗粒和粉末的ALD:将保形的镀膜与颗粒化的基底相结合创造出许多全新的应用，如改变电池材料的扩散特性。
