原子层沉积系统

PICOSUN™P-300B原子层沉积系统已经成为高产能ALD 制造业的新标准。拥有热壁、*  独立的前驱体管路和特殊的载气设计， 确  保我们可以生产出具有优异的成品率、低  颗粒水平和电学和光学性能的高质 量ALD薄膜。高效紧凑的设计使得维护更  加方便、快捷， 最大限度的减少了系统的  维护停工期和使用成本。拥有技术的 Picoflow™使得在超高深宽比结构上沉积  保形性薄膜更高效， 并已在生产线上得到 验证。

PICOSUN™P-300B原子层沉积系统衬底尺寸和类型

•   200mm晶圆 25片/批次（标准间距）

•    150mm 晶圆 50片/批次（标准间距）

•    100mm 晶圆 75片/批次（标准间距）

•    非标准晶圆类基底（使用定制夹具）

•    高深宽比基底（最大深宽比1:2500）

工艺温度

•    50 – 500°C

标准工艺

•   批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环*

•   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各种金属

•    同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片加载

•    气动升降， 手动装载

•    线性半自动装载

前驱体

•    液态， 固态， 气态， 臭氧源

•    源瓶余量传感器， 提供清洗和装源服务

•     4根独立的源管线，最多加载8个前驱体源