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FIB-SEM-TOF-SIMS

简要描述:FIB-SEM-TOF-SIMS电子显微分析是材料和生命科学微观分析中最 重要的一环,而元素分析是其中最重要的表征手段 之一,但标准的分析手段如能谱仪和波谱仪存在因 灵敏度不足、空间分辨率较差,无法进行轻元素、 微量元素的分析,无法分辨同位素等等问题,已不 能满足应用发展的需求。

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  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-10-23
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FIB-SEM-TOF-SIMS电子显微分析是材料和生命科学微观分析中最 重要的一环,而元素分析是其中最重要的表征手段 之一,但标准的分析手段如能谱仪和波谱仪存在因 灵敏度不足、空间分辨率较差,无法进行轻元素、 微量元素的分析,无法分辨同位素等等问题,已不 能满足应用发展的需求。

       FIB-SEM-TOF-SIMS提供的解决方案是将飞行时间二次离 子质谱与FIB-SEM系统集成。这种组合能够为用 户提供固体材料的3D化学表征和分子信息,高离 子质量分辨率和高空间分辨率成像等,并可以进行 原位FIB深度分析。

       飞行时间-二次离子质谱(TOF-SIMS)

       TOF-SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是具有高分辨率的质谱仪。 工作原理是用聚焦离子束照射样品表面,从而在样 品最上层的原子层激发出二次离子(SI),再根据 不同质量的二次离子飞行到探测器的时间不同来测 定离子质量。

       与EDX相比,TOF-SIMS可以实现更好的横向 和纵向分辨率,还可以识别并定量样品表面层中存 在的元素和分子物质,以及具有类似标称质量的同 位素和其他物质等。

       具有超高灵敏度,可检测从H开始的任意元 素,检出限达ppm量级

•  优异的空间分辨率,横向分辨率< 40 nm, 纵向分辨率< 3 nm

•  正负离子均可检测,离子质量分辨率>800

•  2D和3D的快速、高离子质量分辨率和高 空间分辨率成像,可进行原位FIB深度剖析

•  通过精密控制的坐标转移,保证不同仪器分 析位置的重合

•  TESCAN所有型号的FIB-SEM均可配置 TOF-SIMS 系统


1.轻元素及微量元素分析:Li离子电池中LI+面分布分析。

2.通过低电压和小束流FIB逐层减薄,成功区分出厚度为2.5 nm的掺有0-15% 的In元素的GaN层。

3.金属复合材料中微量元素的晶界偏析测定,检出限可达ppm级。

4.对铀矿石进行初期的同位素分析,快速得到238U和235U的分布信息。


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